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IGBT模塊在十幾 kHz開關(guān)頻率中就會(huì)表現(xiàn)出嚴(yán)重的局限性，由于IGBT模塊尾電流導(dǎo)致?lián)p耗較大。使用 SiC-MOSFET模塊，開關(guān)頻率增加，從而減小了濾波器體積。SiC 模塊允許在數(shù)十和數(shù)百 kHz 的頻率下運(yùn)行，開關(guān)損耗相對(duì)較低，從而顯著減少了濾波器和散熱熱系統(tǒng)的體積。這些技術(shù)進(jìn)步使變流器總體積大幅度減少，效率提高，從而能夠在較低溫度下運(yùn)行并可能延長組件的使用壽命。 為了滿足PCS儲(chǔ)能變流器更*的需求，使用基本公司碳化硅SiC模塊全面取代IGBT模塊，可以提升系統(tǒng)效率1%，有效提升客戶在PCS生命周期里的收益。SiC模塊全面取代IGBT模塊，從而將PCS儲(chǔ)能變流器開關(guān)損耗降低高達(dá) 70% 至 80%，在儲(chǔ)能變流器PCS應(yīng)用中碳化硅SiC模塊全面革掉IGBT模塊的命！ BASiC™；基半股份一級(jí)代理商致力于推動(dòng)碳化硅SiC模塊在汽車電驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中全面取代IGBT模塊！ BASiC™；基半股份一級(jí)代理商致力于推動(dòng)碳化硅SiC-PIM模塊在中央空調(diào)，商用空套，熱泵應(yīng)用中全面取代IGBT-PIM模塊！ BASiC™；基半股份一級(jí)代理商致力于推動(dòng)碳化硅SiC-IPM模塊在家用空調(diào)壓縮機(jī)，汽車空調(diào)熱泵熱管理，伺服驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中全面取代IGBT-IPM模塊！ BASiC™；基半股份一級(jí)代理商致力于推動(dòng)碳化硅SiC模塊在高壓變頻器應(yīng)用中全面取代IGBT模塊！ BASiC™；基半股份一級(jí)代理商致力于推動(dòng)碳化硅SiC模塊在高性能通用變頻器應(yīng)用中全面取代IGBT模塊！ BASiC™；基半股份一級(jí)代理商致力于推動(dòng)碳化硅SiC模塊在集中式充電樁電源模塊應(yīng)用中全面取代IGBT模塊！ BASiC™；基半股份一級(jí)代理商致力于推動(dòng)碳化硅SiC模塊在風(fēng)電變流器應(yīng)用中全面取代IGBT模塊！ BASiC™；基半股份一級(jí)代理商致力于推動(dòng)碳化硅SiC模塊在儲(chǔ)能變流器PCS應(yīng)用中全面取代IGBT模塊！ BASiC™；基半股份一級(jí)代理商致力于推動(dòng)碳化硅SiC模塊在光伏逆變器應(yīng)用中全面取代IGBT模塊！ BASiC™；基半股份一級(jí)代理商致力于推動(dòng)碳化硅SiC模塊在逆變焊機(jī)應(yīng)用中全面取代IGBT模塊！ BASiC™；基半股份一級(jí)代理商致力于推動(dòng)碳化硅SiC模塊在UPS應(yīng)用中全面取代IGBT模塊！ BASiC™；基半股份一級(jí)代理商致力于推動(dòng)碳化硅SiC模塊在機(jī)車牽引輔助電源應(yīng)用中全面取代IGBT模塊！ BASiC™；基半股份一級(jí)代理商致力于推動(dòng)碳化硅SiC模塊在大功率感應(yīng)加熱電源應(yīng)用中全面取代IGBT模塊！
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